大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題，就是關(guān)于材料檢測(cè)電學(xué)性能分析的問題，于是小編就整理了2個(gè)相關(guān)介紹材料檢測(cè)電學(xué)性能分析的解答，讓我們一起看看吧。

固體電介質(zhì)的擊穿機(jī)理有哪些？各是什么原因引起的？

影響固體介質(zhì)擊穿電壓的主要因素有:

①電場(chǎng)的不均勻程度:均勻、致密的固體電介質(zhì)在均勻電場(chǎng)中的擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)1～10MV/cm。擊穿場(chǎng)強(qiáng)決定于物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與外界因素的關(guān)系較小。當(dāng)電介質(zhì)厚度增加時(shí),由于電介質(zhì)本身的不均勻性,擊穿場(chǎng)強(qiáng)會(huì)下降。當(dāng)厚度極小時(shí)(-3～10-4cm),擊穿場(chǎng)強(qiáng)又會(huì)增加。 電場(chǎng)越不均勻,擊穿場(chǎng)強(qiáng)下降越多。電場(chǎng)局部加強(qiáng)處容易產(chǎn)生局部放電,在局部放電的長(zhǎng)時(shí)間作用下,固體電介質(zhì)將產(chǎn)生化學(xué)擊穿。

②作用電壓時(shí)間、種類:固體電介質(zhì)的三種擊穿形式與電壓作用時(shí)間有密切關(guān)系。同一種固體電介質(zhì),在相同電場(chǎng)分布下,其雷電沖擊擊穿電壓通常大于工頻擊穿電壓,且直流擊穿電壓也大于工頻擊穿電壓。 交流電壓頻率增高時(shí),由于局部放電更強(qiáng),介質(zhì)損耗更大,發(fā)熱嚴(yán)重,更易發(fā)生熱擊穿或?qū)е禄瘜W(xué)擊穿提前到來。

③溫度:當(dāng)溫度較低,處于電擊穿范圍內(nèi)時(shí),固體電介質(zhì)的擊穿場(chǎng)強(qiáng)與溫度基本無關(guān)。

一、電擊穿。固體介質(zhì)在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，內(nèi)部少量可自由移動(dòng)的載流子劇烈運(yùn)動(dòng)，與晶格上的原子發(fā)生碰撞使之游離，并迅速擴(kuò)展而導(dǎo)致?lián)舸Ｌ攸c(diǎn)是：電壓作用時(shí)間短，擊穿電壓高，與電場(chǎng)均勻度密切相關(guān)，但與環(huán)境溫度及電壓作用時(shí)間幾乎無關(guān)。二、熱擊穿。電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下，由于漏電流、電損耗或孔隙局部氣體電離放電產(chǎn)生放熱，材料溫度逐步升高，隨著時(shí)間延續(xù)，積熱增多，當(dāng)達(dá)到一定溫度時(shí)，材料即行開裂、玻璃化或熔化，絕緣性能被破壞而導(dǎo)致?lián)舸┑默F(xiàn)象。這是介質(zhì)材料常見的破壞原因之一。熱擊穿與介質(zhì)的導(dǎo)致系數(shù)、強(qiáng)度、內(nèi)部缺陷、摻雜物（雜質(zhì)）、氣孔、形狀及散熱條件等多種因素有關(guān)。固體電介質(zhì)的擊穿有電擊穿、熱擊穿、電化學(xué)擊穿、放電擊穿等形式。絕緣結(jié)構(gòu)發(fā)生擊穿，往往是電、熱、放電、電化學(xué)等多種形式同時(shí)存在，很難截然分開。一般來說，在采用tanδ值大、耐熱性差的電介質(zhì)的低壓電氣設(shè)備，在工作溫度高、散熱條件差時(shí)，熱擊穿較為多見。而在高壓電氣設(shè)備中，放電擊穿的概率就大些。脈沖電壓下的擊穿一般屬于電擊穿。當(dāng)電壓作用時(shí)間達(dá)數(shù)十小時(shí)乃至數(shù)年時(shí)，大多數(shù)屬于電化學(xué)擊穿。

EDS及XRD的性能區(qū)別？

SEM，EDS，XRD的區(qū)別，SEM是掃描電鏡，EDS是掃描電鏡上配搭的一個(gè)用于微區(qū)分析成分的配件——能譜儀，是用來對(duì)材料微區(qū)成分元素種類與含量分析，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用。

XRD是X射線衍射儀，是用于物相分析的檢測(cè)設(shè)備。

SEM用于觀察標(biāo)本的表面結(jié)構(gòu)，其工作原理是用一束極細(xì)的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級(jí)電子，次級(jí)電子的多少與電子束入射角有關(guān)，也就是說與樣 品的表面結(jié)構(gòu)有關(guān)，次級(jí)電子由探測(cè)體收集，并在那里被閃爍器轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?hào)，再經(jīng)光電倍增管和放大器轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)來控制熒光屏上電子束的強(qiáng)度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。

圖像為立體形象，反映了標(biāo)本的表面結(jié)構(gòu)。

EDS的原理是各種元素具有自己的X射線特征波長(zhǎng)，特征波長(zhǎng)的大小則取決于能級(jí)躍遷過程中釋放出的特征能量△E，能譜儀就是利用不同元素X射線光子特征能量不同這一特點(diǎn)來進(jìn)行成分分析的。 XRD是利用衍射原理，精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu),織構(gòu)及應(yīng)力,精確的進(jìn)行物相分析，定性分析，定量分析。 說簡(jiǎn)單點(diǎn)，SEM是用來看微觀形貌的，觀察表面的形態(tài)、斷口、微裂紋等等；EDS則是檢測(cè)元素及其分布，但是H元素不能檢測(cè)；XRD觀察的是組織結(jié)構(gòu)，可以測(cè)各個(gè)相的比例、晶體結(jié)構(gòu)等。

到此，以上就是小編對(duì)于材料檢測(cè)電學(xué)性能分析的問題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于材料檢測(cè)電學(xué)性能分析的2點(diǎn)解答對(duì)大家有用。